PN结形成源于N型半导体：自由电子多空穴少（由于4价硅元素参入5价磷元素）；P型半导体：自由电子少空穴多（硅参入3价B元素）PN结由两半导体制成样结P/N型半导体之间形成了内部电场电场有两种运动互相约束形成种动态平衡种扩散运动;种内部电场产生漂移运动方向N区→P区时我们PN结上加上正向电压P正N负则外电场方向与内电场方向相反所电荷区变窄了扩散运动加剧二极管导通加反向电压扩散运动得抑制漂移运动加强二极管截止（里截止也相对）
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